STF22N60M6

STMicroelectronics
511-STF22N60M6
STF22N60M6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STF22N60M6详情

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
16 周 预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥28.0353 ¥28.04
¥18.2834 ¥182.83
¥13.9781 ¥1,397.81
¥11.7407 ¥5,870.35
¥10.17 ¥10,170.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
15 A
230 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: Not Available
下降时间: 8.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6.3 ns
系列: Mdmesh M6
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 13.6 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Qg) 和经过优化的电容曲线相结合，设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率，以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项，包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案，可实现高效的热管理。该器件包括各种工作电压，适用于工业应用，包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。