STFU13N65M2

STMicroelectronics
511-STFU13N65M2
STFU13N65M2

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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最少： 1   倍数： 1
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥19.6846 ¥19.68
¥9.6728 ¥96.73
¥8.6897 ¥868.97
¥6.9156 ¥3,457.80
¥6.3506 ¥6,350.60
¥6.1472 ¥12,294.40

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
430 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.8 ns
系列: STFU13N65M2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh™ II 功率 MOSFET 将垂直结构与 STM 带状布局相结合，产生了业界最低的导通电阻和栅极电荷，使其能适应要求最高的高效转换器。这些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全绝缘，采用薄型封装，加长了从引脚到散热盘的爬电路径。它们经 100% 雪崩测试，输入电容、栅极电荷及栅极输入电阻低。
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