STGB20H65FB2

STMicroelectronics
511-STGB20H65FB2
STGB20H65FB2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
15 周 预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥17.6958 ¥17.70
¥11.3339 ¥113.34
¥7.8422 ¥784.22
¥6.6444 ¥3,322.20
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥5.537 ¥5,537.00
¥5.2771 ¥10,554.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
- 20 V, 20 V
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本,并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
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