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STGB40V60F

Name: STMicroelectronics STGB40V60F
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB40V60F
Price: 27.16 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGB40V60F

制造商编号：

STGB40V60F

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

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数据表:

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥30.6908	¥30.69
	¥20.0123	¥200.12
	¥13.7295	¥1,372.95
	¥12.0797	¥6,039.85
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥11.2548	¥11,254.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	D2PAK
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.8 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	283 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGB40V60F
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	1000
子类别:	IGBTs
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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