STGB4M65DF2

STMicroelectronics
511-STGB4M65DF2
STGB4M65DF2

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
8 A
68 W
- 55 C
+ 175 C
STGB4M65DF2
Reel
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 8 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: Not Available
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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