STGB6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGB6M65DF2
STGB6M65DF2

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGB6M65DF2
Reel
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 12 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 1.380 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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