STGF15H60DF

STMicroelectronics
511-STGF15H60DF
STGF15H60DF

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd

ECAD模型:
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库存量: 2,086

库存:
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生产周期:
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥18.1139 ¥18.11
¥8.8479 ¥88.48
¥7.8761 ¥787.61
¥6.2828 ¥3,141.40
¥5.9099 ¥5,909.90
¥5.7065 ¥11,413.00
¥5.6274 ¥28,137.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3 FP
Through Hole
Single
600 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
30 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF15H60DF
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 15 A
组装国: CN
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2.300 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本,并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
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