STGH30H65DFB-2AG

Name: STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGH30H65DFB-2AG
Price: 25.99 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGH30H65DFB-2AG

制造商编号：

STGH30H65DFB-2AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT

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封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥29.3687	¥29.37
	¥20.1027	¥201.03
	¥14.7239	¥1,472.39
	¥13.3227	¥6,661.35
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥11.9102	¥11,910.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	H2PAK-2
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.55 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	60 A
Pd-功率耗散:	260 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	1000
子类别:	IGBTs

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PCN

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术，这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾，以及非常低的饱和电压（Vce_(sat)）（典型值低至 1.6V），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE_(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
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