STGP20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP20M65DF2
STGP20M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

ECAD模型:
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库存量: 747

库存:
747 可立即发货
生产周期:
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.0011 ¥22.00
¥11.4921 ¥114.92
¥10.4186 ¥1,041.86
¥8.5202 ¥4,260.10
¥8.1586 ¥8,158.60

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
STGP20M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 1.800 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99