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STGP20V60DF

Name: STMicroelectronics STGP20V60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP20V60DF
Price: 19.4 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STGP20V60DF

制造商编号：

STGP20V60DF

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥21.922	¥21.92
	¥10.5881	¥105.88
	¥9.5146	¥951.46
	¥7.7631	¥3,881.55
	¥7.458	¥7,458.00
	¥7.2998	¥14,599.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-220-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	2.3 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	40 A
Pd-功率耗散:	167 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGP20V60DF
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	1000
子类别:	IGBTs
单位重量:	2.300 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STGP20V60DF 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

600-650V IGBT

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