STGP30H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGP30H65DFB2
STGP30H65DFB2

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
- 20 V, 20 V
Tube
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本，并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
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