STGP4M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP4M65DF2
STGP4M65DF2

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
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¥5.2545 ¥525.45
¥4.1245 ¥2,062.25
¥3.7516 ¥3,751.60
¥3.4465 ¥6,893.00
¥3.3674 ¥16,837.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
8 A
68 W
- 55 C
+ 175 C
STGP4M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 8 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 1.800 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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