STGW30H65FB

STMicroelectronics
511-STGW30H65FB
STGW30H65FB

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
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数量 单价
总价
¥34.7362 ¥34.74
¥19.1874 ¥191.87
¥13.2323 ¥1,323.23
¥12.4074 ¥7,444.44

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.75 V
- 20 V, 20 V
30 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30H65FB
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 38 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术，这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾，以及非常低的饱和电压（Vce(sat)）（典型值低至 1.6V），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
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