STGW40H60DLFB

STMicroelectronics
511-STGW40H60DLFB
STGW40H60DLFB

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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数量 单价
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¥24.4871 ¥244.87
¥18.6111 ¥1,861.11

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
283 W
- 55 C
+ 175 C
STGW40H60DLFB
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 38 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本，并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
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