STGW60H65DFB-4

STMicroelectronics
511-STGW60H65DFB-4
STGW60H65DFB-4

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
15 周 预计工厂生产时间。
最少: 600   倍数: 600
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥30.6004 ¥18,360.24
¥30.5213 ¥36,625.56

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
283 W
- 55 C
+ 175 C
STGW60H65DFB-4
Tube
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: Not Available
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 4.430 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99