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STGWA20H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20H65DFB2
Price: 23.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGWA20H65DFB2

制造商编号：

STGWA20H65DFB2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

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数量	单价	总价
	¥26.9618	¥26.96
	¥16.6223	¥166.22
	¥11.1644	¥1,116.44
	¥10.2604	¥6,156.24
	¥9.0174	¥10,820.88

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	40 A
Pd-功率耗散:	147 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的高速 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。得益于 ST 高级的沟槽式栅极场终止高速技术，这些 IGBT 在 T_J=150C 时具有 5μs 的最低短路承受时间、最少的集电极电流关闭拖尾，以及低至 2.1 V （典型值）的极低饱和电压_(sat)），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE_(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是不间断电源、焊接机、光伏逆变器、功率因数校正、及高频转换器应用的理想选择。
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STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT基于先进、专有的沟槽式栅极场终止结构演进而来。HB2系列以较低的电流值和较低的开关能量，通过高级V_CE(sat) 优化导通。STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT在20A I_C时具有1.65V（典型值）低 V_CE(sat)。

600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本，并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
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