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STGWA25H120DF2

Name: STMicroelectronics STGWA25H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA25H120DF2
Price: 42.02 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGWA25H120DF2

制造商编号：

STGWA25H120DF2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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数据表:

STGWA25H120DF2 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥47.4826	¥47.48
	¥28.1257	¥281.26
	¥21.4248	¥2,142.48
	¥19.8541	¥11,912.46
	¥19.1874	¥23,024.88
	¥18.9388	¥56,816.40
5,400	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	2.5 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	50 A
Pd-功率耗散:	375 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGWA25H120DF2
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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