STGWA50IH65DF

STMicroelectronics
511-STGWA50IH65DF
STGWA50IH65DF

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
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数量 单价
总价
¥38.7138 ¥38.71
¥25.8092 ¥258.09
¥19.1083 ¥1,910.83
¥16.7918 ¥10,075.08
¥16.7127 ¥20,055.24

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
100 A
300 W
- 55 C
+ 175 C
HB2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 6.100 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V IH系列IGBT

STMicroelectronics 650V IH系列IGBT的效率高，用于感应加热系统和软开关应用。该IGBT属于STPOWER™系列，超过了HB系列，目前用于感应加热应用。650V IH系列具有较低VCE(sat) 以及超低关闭能量，确保在最终应用中提高效率。现可提供采用TO-247长引线封装的40A和50A器件，20A和30A器件正在开发中。

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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