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STGWA80H65DFBAG

Name: STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA80H65DFBAG
Price: 46.85 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGWA80H65DFBAG

制造商编号：

STGWA80H65DFBAG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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	¥31.2671	¥312.67
	¥25.9674	¥3,116.09
	¥25.1425	¥12,822.68

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	120 A
Pd-功率耗散:	535 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
资格:	AEC-Q100
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术，这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾，以及非常低的饱和电压（Vce_(sat)）（典型值低至 1.6V），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE_(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
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