STGWA8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGWA8M120DF3
STGWA8M120DF3

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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