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STGWT60H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWT60H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT60H65DFB
Price: 34.92 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STGWT60H65DFB

制造商编号：

STGWT60H65DFB

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥39.4596	¥39.46
	¥21.4248	¥214.25
	¥18.1139	¥1,811.39
	¥16.2155	¥9,729.30

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-3P
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.6 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	375 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGWT60H65DFB
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	60 A
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	300
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.756 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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