STGYA75H120DF2

STMicroelectronics
511-STGYA75H120DF2
STGYA75H120DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l

ECAD模型:
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库存量: 173

库存:
173 可立即发货
生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥70.8058 ¥70.81
¥43.7536 ¥437.54
¥42.4315 ¥5,091.78
¥36.9736 ¥18,856.54

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
MAX257-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
- 20 V, 20 V
150 A
750 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
单位重量: 4.430 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99