STH180N10F3-2

STMicroelectronics
511-STH180N10F3-2
STH180N10F3-2

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
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¥-.--
总价:
¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥44.0022 ¥44.00
¥27.9562 ¥279.56
¥21.0067 ¥2,100.67
¥20.1818 ¥10,090.90
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥18.8597 ¥18,859.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
114.6 nC
- 55 C
+ 175 C
315 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: SG
下降时间: 6.9 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 97.1 ns
系列: STH180N10F3-2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 4 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET III™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET III™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款采用STripFET™技术的功率MOSFET具有大电流和低RDS(on)。这些STripFET™功率MOSFET改进了特定导通电阻，从而降低了导通损耗。这些器件采用的平面技术非常适合用于高效率、低压系统。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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STMicroelectronics STripFET III Power MOSFETs


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