STH22N95K5-2AG

Name: STMicroelectronics STH22N95K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH22N95K5-2AG
Price: 26.06 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STH22N95K5-2AG

制造商编号：

STH22N95K5-2AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H2PAK-2
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	950 V
Id-连续漏极电流:	17.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	330 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	48 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	IT
产品类型:	MOSFETs
系列:	STH22N95K5
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
单位重量:	4 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
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SuperMESH™ 高压 MOSFET

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