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STH300NH02L-6

Name: STMicroelectronics STH300NH02L-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH300NH02L-6
Price: 14.64 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STH300NH02L-6

制造商编号：

STH300NH02L-6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet

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数据表:

STH300NH02L-6 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	24 V
Id-连续漏极电流:	180 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	109 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q100
商标名:	STripFET
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	IT
下降时间:	94.4 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	275 ns
系列:	STH300NH02L-6
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	138 ns
典型接通延迟时间:	18 ns
单位重量:	1.600 g

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数据表

STH300NH02L-6 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET II™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET II™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款采用STripFET™技术的功率MOSFET具有大电流和低R_DS(on)。这些功率MOSFET具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这些STripFET™功率MOSFET是成熟的平面技术，适用于高效率、低压系统。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 R_DS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 R_DS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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