STH410N4F7-2AG

STMicroelectronics
511-STH410N4F7-2AG
STH410N4F7-2AG

制造商：

说明：
MOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
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整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

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数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥57.1554 ¥57.16
¥38.5443 ¥385.44
¥28.6229 ¥2,862.29
¥28.5325 ¥14,266.25
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥26.7132 ¥26,713.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 150 C
365 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 44.2 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 198 ns
系列: STH410N4F7-2AG
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 108 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
单位重量: 4 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STMicroelectronics STripFET VII Power MOSFETs


STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术，可实现高效率和低RDS(on) ，满足各种汽车和工业开关应用的需求，如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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