STL125N10F8AG

STMicroelectronics
511-STL125N10F8AG
STL125N10F8AG

制造商：

说明：
MOSFET Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET
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整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

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数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥24.2385 ¥24.24
¥15.7183 ¥157.18
¥10.9158 ¥1,091.58
¥9.0174 ¥4,508.70
¥8.6897 ¥8,689.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.4411 ¥25,323.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
1 Channel
100 V
125 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 76 mg
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准，并提供30V至150V的全面封装解决方案，以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体二极管特性，来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计，提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。

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