STL125N8F7AG

Name: STMicroelectronics STL125N8F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL125N8F7AG
Price: 22.91 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STL125N8F7AG

制造商编号：

STL125N8F7AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

完成您的设计

数据表:

STL125N8F7AG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics STL125N8F7AG详情

库存量: 2,955

库存：: 2,955 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 17 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥25.8883	¥25.89
	¥16.8709	¥168.71
	¥11.7407	¥1,174.07
	¥9.9214	¥4,960.70
	¥9.1869	¥9,186.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥9.1869	¥27,560.70

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-5x6-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	76 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	167 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	23 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	39 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	47 ns
典型接通延迟时间:	23 ns
单位重量:	76 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STL125N8F7AG 数据表 (PDF)

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.