STL12P6F6

STMicroelectronics
511-STL12P6F6
STL12P6F6

制造商:

说明:
MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI

ECAD模型:
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库存量: 4,747

库存:
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
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封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥11.1644 ¥11.16
¥7.0512 ¥70.51
¥4.6782 ¥467.82
¥3.6499 ¥1,824.95
¥3.3222 ¥3,322.20
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥2.8928 ¥8,678.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
P-Channel
1 Channel
60 V
12 A
160 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
6.4 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Triple
组装国: SG
扩散国家: Not Available
原产国: SG
下降时间: 3.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.3 ns
系列: STL12P6F6
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 6.4 ns
单位重量: 76 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术,可实现高效率和低RDS(on) ,满足各种汽车和工业开关应用的需求,如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET,采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术:采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点,符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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STMicroelectronics STripFET VI Power MOSFETs