STL25N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STL25N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL25N60M2-EP
Price: 9.96 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STL25N60M2-EP

制造商编号：

STL25N60M2-EP

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-8x8-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	16 A
Rds On-漏源导通电阻:	206 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	29 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	SG
下降时间:	16 ns
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	STL25N60M2-EP
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	61 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	180 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129010
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

STL25N60M2-EP N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STL25N60M2-EP N-Channel Power MOSFET is developed using MDmesh™ M2 EP enhanced performance technology. STMicroelectronics STL25N60M2-EP is housed in a PowerFLAT™ 8x8 HV package with a strip layout and improved vertical structure for low on-resistance and optimized switching characteristics. The MOSFET is suitable for demanding high frequency converters and has very low turn-off switching losses.