STL305N4LF8AG

STMicroelectronics
511-STL305N4LF8AG
STL305N4LF8AG

制造商:

说明:
MOSFET Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8

ECAD模型:
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库存量: 401

库存:
401 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥24.4871 ¥24.49
¥15.8765 ¥158.77
¥11.0062 ¥1,100.62
¥9.0965 ¥4,548.25
¥8.7688 ¥8,768.80
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥8.5202 ¥25,560.60

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
1 Channel
40 V
304 A
1 mOhms
- 16 V, 16 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准,并提供30V至150V的全面封装解决方案,以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗,同时优化体二极管特性,来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计,提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。