STL33N60DM6

Name: STMicroelectronics STL33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL33N60DM6
Price: 10.98 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STL33N60DM6

制造商编号：

STL33N60DM6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.25 V
Qg-栅极电荷:	35 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	SG
下降时间:	35 ns
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	STL33N60DM2
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	7 ns
典型接通延迟时间:	14 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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