STL45N60DM6

Name: STMicroelectronics STL45N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL45N60DM6
Price: 53.22 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STL45N60DM6

制造商编号：

STL45N60DM6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥60.1386	¥60.14
	¥40.8608	¥408.61
	¥30.849	¥3,084.90
	¥30.6908	¥15,345.40
	¥28.5325	¥28,532.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥28.5325	¥85,597.50

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-8x8-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.25 V
Qg-栅极电荷:	44 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	160 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	7.3 ns
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.3 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	180 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET优化用于ZVS、全桥和半桥拓扑。MDmesh DM6功率MOSFET具有600V击穿电压，将经优化的电容曲线和终身破坏工艺相结合。MDmesh DM6 MOSFET具有低栅极电荷 (Q_g)、非常低的恢复电荷 (Q_rr)、较短恢复时间 (t_rr) 以及出色的每区域R_DS(on)。