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STL66N3LLH5

Name: STMicroelectronics STL66N3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL66N3LLH5
Price: 14.57 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STL66N3LLH5

制造商编号：

STL66N3LLH5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V

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数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥16.4641	¥16.46
	¥10.509	¥105.09
	¥7.0964	¥709.64
	¥5.6274	¥2,813.70
	¥5.1867	¥5,186.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥4.9268	¥14,780.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-5x6-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 22 V, 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	4.8 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q100
商标名:	STripFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	4.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	14.5 ns
系列:	STL66N3LLH5
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	22.7 ns
典型接通延迟时间:	9.3 ns
单位重量:	76 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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