STP105N3LL

STMicroelectronics
511-STP105N3LL
STP105N3LL

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
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数量 单价
总价
¥13.56 ¥13.56
¥6.4523 ¥64.52
¥5.7517 ¥575.17
¥4.5313 ¥2,265.65
¥3.9663 ¥3,966.30
¥3.7855 ¥7,571.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
30 V
150 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
140 W
Enhancement
STripFET
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 23.4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 91 ns
系列: STP105N3LL
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 24.5 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术，可实现高效率和低RDS(on) ，满足各种汽车和工业开关应用的需求，如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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STMicroelectronics STripFET VI Power MOSFETs


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