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STP10N105K5

Name: STMicroelectronics STP10N105K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP10N105K5
Price: 31.77 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STP10N105K5

制造商编号：

STP10N105K5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

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数据表:

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥35.9001	¥35.90
	¥18.6111	¥186.11
	¥16.8709	¥1,687.09
	¥13.899	¥6,949.50
	¥13.8086	¥13,808.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.05 kV
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	21.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	130 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	21.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	STP10N105K5
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	19 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STP10N105K5 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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