STP130N6F7

STMicroelectronics
511-STP130N6F7
STP130N6F7

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥19.6846 ¥19.68
¥8.6897 ¥86.90
¥8.023 ¥802.30
¥6.893 ¥3,446.50
¥6.3167 ¥6,316.70

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
STripFET
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 44 ns
系列: STP130N6F7
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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