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STP13N80K5

Name: STMicroelectronics STP13N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP13N80K5
Price: 29.65 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STP13N80K5

制造商编号：

STP13N80K5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥33.5045	¥33.50
	¥17.1195	¥171.20
	¥15.5488	¥1,554.88
	¥13.0741	¥6,537.05

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	370 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	29 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	190 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	16 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16 ns
系列:	STP13N80K5
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	42 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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