STP18NM60N

STMicroelectronics
511-STP18NM60N
STP18NM60N

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥28.0353 ¥28.04
¥12.9046 ¥129.05
¥11.8311 ¥1,183.11
¥10.2604 ¥5,130.20

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: SG
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: STP18NM60N
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best RDS(on)*Qg in the industry.

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