STP200N3LL

STMicroelectronics
511-STP200N3LL
STP200N3LL

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STP200N3LL详情

库存量: 2,836

库存：
2,836 可立即发货
生产周期：
19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥18.3625 ¥18.36
¥9.3451 ¥93.45
¥7.8874 ¥788.74
¥6.8252 ¥3,412.60
¥6.2715 ¥6,271.50
¥5.8082 ¥11,616.40
¥4.9946 ¥24,973.00
¥4.9494 ¥49,494.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
30 V
120 A
2.15 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
176.5 W
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 108 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 183 ns
系列: STP200N3LL
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
了解更多

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。