STP28NM60ND

STMicroelectronics
511-STP28NM60ND
STP28NM60ND

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥49.381 ¥49.38
¥25.312 ¥253.12
¥23.8995 ¥2,389.95
¥22.0011 ¥11,000.55

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
23 A
150 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
62.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: SG
下降时间: 27 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 21.5 ns
系列: STP28NM60ND
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 92 ns
典型接通延迟时间: 23.5 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

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