STP34N65M5

STMicroelectronics
511-STP34N65M5
STP34N65M5

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
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数量 单价
总价
¥42.4315 ¥42.43
¥26.6341 ¥266.34
¥25.3911 ¥2,539.11
¥24.3967 ¥12,198.35
¥23.6622 ¥23,662.20

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
18.3 A
110 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
62.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: MOSFETs
系列: Mdmesh M5
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 2 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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