STP4N150

STMicroelectronics
511-STP4N150
STP4N150

制造商：

说明：
MOSFET PowerMESH MOSFET
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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥46.3187 ¥46.32
¥24.3967 ¥243.97
¥22.4192 ¥2,241.92
¥21.4248 ¥10,712.40

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
5 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 45 ns
正向跨导 - 最小值: 3.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 30 ns
系列: STP4N150
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET

STMicroelectronics N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET 设计采用了 STMicroelectronics 基于合并带状布局的 MESH OVERLAY™ 工艺。 此工艺可使先进的家用高压功率 MOSFET 获得优异的性能。 强化布局加上专有的边缘终端结构缔造了最低的单位面积 RDS(on) 、无与伦比的栅极电荷以及开关特性。
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