STP8N120K5

STMicroelectronics
511-STP8N120K5
STP8N120K5

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥50.0477 ¥50.05
¥28.2839 ¥282.84
¥25.8883 ¥2,588.83
¥24.4871 ¥12,243.55

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
6 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13.7 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 27 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: STP8N120K5
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 15.5 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SuperMESH™ 高压 MOSFET

意法半导体 齐纳保护 SuperMESH™ 功率 MOSFETs 是对标准带式 PowerMESH™ 布线的终极优化。 意法半导体 SuperMESH MOSFET 大幅压低了导通电阻，同时为要求最高的应用确保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的栅极电荷，并100% 通过雪崩测试，同时还改进了 ESD 功能，并具有新的高压基准。这些意法半导体 MOSFET 可用于开关应用。
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