STPSC4H065DI

STMicroelectronics
511-STPSC4H065DI
STPSC4H065DI

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
4 A
650 V
1.98 V
200 A
35 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Tube
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 1000
子类别: Diodes & Rectifiers
单位重量: 2.300 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

标准产品

STMicroelectronics标准产品是各种行业标准器件和可直接替换器件，适用于广泛使用的通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。这些标准产品按照最高质量标准生产，其中有许多产品都符合汽车应用类AECQ标准。还可提供一套全面的设计辅助工具，包括SPICE、IBIS模型和仿真工具，从而简化设计过程。

STPSC萧特基碳化硅二极管

STMicroelectronics萧特基碳化硅二极管利用SiC优于标准硅的卓越物理特性，提供高出4倍的动态特性并降低15%的正向电压 (VF) 。ST的碳化硅二极管拥有低反向恢复特性，因此成为了SMPS应用和其他新兴领域的关键节能因素。这些领域包括太阳能转换、EV或HEV充电站，以及焊接设备和空调等应用。STMicroelectronics SiC产品组合在原有的4至12安培通孔和SMD封装产品阵容中，加入了20A、600V二极管，采用不含卤素的TO-247封装。另外亦提供下一代6A、1200V器件及650V系列。

STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料，可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构，在关闭时不会显示恢复，且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用，它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。

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