STS5DNF60L

STMicroelectronics
511-STS5DNF60L
STS5DNF60L

制造商：

说明：
MOSFET POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
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数据表:
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库存量: 3,772

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最少： 1   倍数： 1
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¥-.--
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¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥13.8086 ¥13.81
¥8.7688 ¥87.69
¥5.8534 ¥585.34
¥4.6104 ¥2,305.20
¥4.2149 ¥4,214.90
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥3.8646 ¥9,661.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
STS5DNF60L
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 25 S
Id-连续漏极电流: 5 A
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 2 Channel
封装 / 箱体: SOIC-8
Pd-功率耗散: 2 W
产品类型: MOSFETs
Qg-栅极电荷: 15 nC
资格: AEC-Q100
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
技术: Si
商标名: STripFET
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 15 V, 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
单位重量: 74 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

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