STU6N65M2-S

STMicroelectronics
511-STU6N65M2-S
STU6N65M2-S

制造商：

说明：
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
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寿命周期:
NRND:
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数据表:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
16 周 预计工厂生产时间。
最少： 3000   倍数： 3000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥4.3392 ¥13,017.60

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
IPAK-3
N-Channel
1 Channel
650 V
2.5 A
1.35 Ohms
- 25 V, 25 V
2 V
9.8 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7 ns
系列: STU6N65M2
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 6.5 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 2.274 g
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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