STW24N60M2

STMicroelectronics
511-STW24N60M2
STW24N60M2

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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数量 单价
总价
¥28.9506 ¥28.95
¥15.7974 ¥157.97
¥12.9046 ¥1,290.46
¥10.7576 ¥6,454.56
¥9.3451 ¥11,214.12

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
190 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 61 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: STW24N60M2
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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