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STW33N60M2

Name: STMicroelectronics STW33N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW33N60M2
Price: 40.41 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STW33N60M2

制造商编号：

STW33N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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数据表:

STW33N60M2 数据表 (PDF)

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	¥26.8827	¥268.83
	¥20.9276	¥2,092.76

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	26 A
Rds On-漏源导通电阻:	108 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	45.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	190 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9.6 ns
系列:	STW33N60M2
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	109 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STW33N60M2 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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