STW3N170

STMicroelectronics
511-STW3N170
STW3N170

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥50.7031 ¥50.70
¥29.3687 ¥293.69
¥20.9276 ¥2,092.76
¥20.8485 ¥12,509.10
¥20.3513 ¥24,421.56

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
2.6 A
13 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: SG
扩散国家: Not Available
原产国: SG
下降时间: 53 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: STW3N170
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 51 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 7 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET

STMicroelectronics N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET 设计采用了 STMicroelectronics 基于合并带状布局的 MESH OVERLAY™ 工艺。 此工艺可使先进的家用高压功率 MOSFET 获得优异的性能。 强化布局加上专有的边缘终端结构缔造了最低的单位面积 RDS(on) 、无与伦比的栅极电荷以及开关特性。
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